AEC-Q100标准解读之HBM,CDM及LU
发布时间：2022-07-29 10:26:51
AEC-Q100标准解读之Electrostatic Discharge Human Body Model (HBM)、Electrostatic Discharge Charged Device Model(CDM)、Latch-Up(LU)
Electrostatic Discharge Human Body Model (HBM)
参考标准： AEC Q100-002；
目的：验证器件对人体静电的抵抗能力；
试验通过判断依据：测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%，芯片验证完成后FT常、高温测试pass；
实验室能力范围：能满足大部分类型芯片的HBM需求，有MK2平台，可提供768个通道；
试验条件：
HBM执行电压至少包含500V/1000V/2000V;
样品数量至少为重复3颗(可以依据电压拆分为9颗或者依据放电组合更多拆分为3n颗)；
试验前后在室温和高温分别进行电测。
器件级别<2000V HBM的情况需要使用者特别承认（允许标记最大Passed Level出具Q100报告）
需求确认：需提供芯片data sheet。
Electrostatic Discharge Charged Device Model(CDM)
参考标准： AEC Q100-011；
目的：验证器件充放电的抗绕度；
试验通过判断依据：测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%，芯片验证完成后FT常、高温测试pass；
实验室能力范围：能满足大部分类型芯片的CDM需求；
试验条件：
CDM执行电压至少包含250V/500V/750V(750V仅针对Corner pins);
样品数量至少为重复3颗(可以依据电压拆分为9颗或者依据放电组合更多拆分为3n颗)；
试验前后在室温和高温分别进行电测。
器件级别<750V边角引脚或（和）<500V其他引脚的CDM情况需要使用者特别承认（允许标记最大Passed Level出具Q100报告）
需求确认：需提供芯片data sheet。
Latch-Up(LU)
参考标准： AEC Q100-004；
目的：验证器件可靠性的一个潜在的严重问题，客观、准确地评价器件的抗闩锁效应能力，保证器件的质量；
试验通过判断依据：测试前后IC工作电流改变量不超过10毫安或者1.4倍（二者相比取大） ，芯片验证完成后FT常、高温测试pass；
实验室能力范围：能满足大部分类型芯片的LU需求，目前有MK2平台，可提供768个通道；
试验条件：
测试依据JEDE78 Waveform，Vcc=Vccmax；
温度参考：
Grade 0: +150°C
Grade 1: +125°C
Grade 2: +105°C
Grade 3: +85°C
试验前后在室温和高温分别进行电测。
需求确认：需要提供芯片data sheet。