AEC-Q100标准解读之EDR
发布时间：2022-07-29 10:11:38
AEC-Q100标准解读之NVM Endurance, Data Retention, and Operational Life(EDR)
NVM Endurance, Data Retention, and Operational Life(EDR)
参考标准： AEC Q100-005；
目的：评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能，在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失；
失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等；
试验通过判断依据：芯片试验完成后FT常、高温测试pass；
实验室能力范围：通过硬件和芯片烧录固件搭配完成EDR。
试验条件：
EDR试验分两步，第一步是擦写，第二步是存储，也分三个子实验，分别是EDR-HTDR、EDR-LTDR、EDR-HTOL：
EDR-HTDR 擦写条件参照HTOL，存储条件参照HTSL；
EDR-LTDR 擦写和存储条件都按照常温；
EDR-HTOL 擦写条件参照HTOL,存储附条参考HTOL；
擦写次数按照datasheet上面次数，如果是使用EDR专用设备，按照datasheet上面次数15%。
需求确认：需提供EDR参考原理图或者设计需求、芯片POD、具体试验条件、试验硬件需求数量、样品数量、硬件需求数量、 EDR擦写次数和擦写一次的时间、 EDR条件下单颗芯片预计功耗等。