AEC-Q100案例之通用MCU非易失性存储耐久试验(数据保持）EDR-HTDR及EDR-LTDR
发布时间：2022-05-05 16:22:46
AEC-Q100案例之通用MCU非易失性存储耐久试验(数据保持）AEC-Q100-005 EDR-HTDR及 AEC-Q100-005 EDR-LTDR
1. 非易失性存储耐久试验(数据保持）(EDR-HTDR)
1.1 测试信息
样品数量:每批80颗，3批次；共240颗待测芯片（实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling Test）
参考方法:AEC-Q100-005
测试温度:Ta = +105℃
测试时间:1000小时
测试确认:芯片功能/性能测试（试验前后在室温、高温分别进行电测。）
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
1.2 设备与仪器
双层式高温试验箱
2. 非易失性存储耐久试验(数据保持）(EDR-LTDR)
2.1 测试信息
样品数量:每批80颗，3批次；共240颗待测芯片（实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling Test）
参考方法:AEC-Q100-005
测试温度:Ta = +25℃
测试时间:1000小时
测试确 :芯片功能/性能测试（试验前后在室温、高温分别进行电测。）
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
2.2 设备与仪器
双层式高温试验箱