AEC-Q100标准解读之Autoclave or Unbiased HAST or Temperature Humidity (without Bias) (AC or UHST or TH )及Temperature Cycling (TC)
Autoclave or Unbiased HAST or Temperature Humidity (without Bias) (AC or UHST or TH )
参考标准：JEDEC JESD22-A102, JEDEC JESD22-A118, or JEDEC JESD22-A101；
目的：评估IC产品在高温，高湿，高气压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程；
失效机制：化学金属腐蚀，封装密封性；
试验通过判断依据：芯片试验完成后FT常温测试pass；
实验室能力范围： 芯片级别的AC、UHAST、TH都可以做。
试验条件：
For surface mount devices, PC before AC (121 ℃ /15psig for 96 hours) or unbiased HAST (130 ℃ /85% RH for 96hours, or 110 ℃ /85% RH for 264 hours). For packages sensitive to high temperatures and pressure (e.g., BGA), PC followed by TH (85 ℃ /85% RH) for 1000 hours may be substituted.
TEST before and after AC, UHST, or TH at room temperature.
根据芯片封装材料、封装方式选择试验条件
需求确认：需要提供芯片POD、具体试验条件
Temperature Cycling (TC )
参考标准：JEDEC JESD22-A104 and Appendix 3；
目的：评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化；
失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层；
试验通过判断依据：芯片试验完成后FT常、高温测试pass，TCT后的WBP测试结果pass；
实验室能力范围： 温度线性斜率≤15oC/min以及非线性温度TC都可以做。
试验条件：
PC before TC for surface mount devices.
Grade 0: -55oC to +150oC for 2000 cycles or equivalent.
Grade 1: -55oC to +150oC for 1000 cycles or equivalent.
Note: -65oC to 150oC for 500 cycles is also an allowed test condition due to legacy use with no known lifetime issues.
Grade 2: -55oC to +125oC for 1000 cycles or equivalent.
Grade 3: -55oC to +125oC for 500 cycles or equivalent.
TEST before and after TC at hot temperature.
After completion of TC, decap five devices from one lot and perform WBP (test #C2) on corner bonds (2 bonds per corner) and one mid-bond per side on each device.
Preferred decap procedure to minimize damage and chance of false data is shown in Appendix 3.
需求确认：需要提供芯片POD、具体试验条件（温度范围，高、低温等待时间，温度线性要求或者转换频率）、以及试验样品数量