AEC-Q100案例之通用MCU静电放电人体模型ESD-HBM及静电放电充电装置模型ESD-CDM
发布时间：2022-05-07 08:53:29
AEC-Q100案例之通用MCU,AEC-Q100-002静电放电人体模型ESD-HBM,AEC-Q100-011静电放电充电装置模型ESD-CDM
1. 静电放电人体模型(HBM)
1.1 试验信息
样品数量:1个批次；共 12 颗待测芯片
参考方法:AEC-Q100-002
脉冲次数:1 次
脉冲间隔:0.3 秒
测试电压:±500V/±1000V/±2000V
通过等级分类:通过等级H1C (±2000V)
测试脉宽:不适用
测试确认:芯片功能/性能测试（试验前后在室温和高温进行电测。）/I-V曲线对比
合格判据：测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%
1.2 仪器与设备
集成电路抗人体静电测试系统
1.3 ESD-HBM 测试等级分类
等级 | 电压范围 (V) |
H0 | ≤ 250 |
H1A | ＞250至≤ 500 |
H1B | ＞500至≤ 1000 |
H1C | ＞1000至≤ 2000 |
H2 | ＞2000至≤ 4000 |
H3A | ＞4000至≤ 8000 |
H3B | ＞8000 |
2. 静电放电充电装置模型(CDM)
2.1 试验信息
样品数量:1个批次；共 9 颗待测芯片
参考方法:AEC-Q100-011
脉冲次数3 次
测试电压:±250V/±500V/±750V
通过等级分类:通过等级C2b (±750V)
测试脉宽:不适用
测试确认:片功能/性能测试（试验前后在室温和高温进行电测。）/I-V曲线对比
合格判据:测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10%
2.2 仪器与设备
ESD元件充放电模组
数字示波器
集成电路抗人体静电测试系统
2.3 ESD-CDM 测试等级分类
等级 | 电压范围 (V) |
C0a | < 125 |
C0b | 125 至< 250 |
C1 | 250至< 500 |
C2 | 500至< 750 |
C2a | 500至< 750 With corner pins ≥ 750 |
C2b | 750至< 1000 |
C3 | > 1000 |