AEC-Q102案例COB封装器件之晶片剪切DS试验条件及试验要求
发布时间：2020-09-28 09:45:22
AEC-Q102案例COB封装器件之晶片剪切DS试验条件及试验要求
项目名称：
晶片剪切（Die Shear，DS）
试验条件：
依据AEC-Q102；
样品数量：
5 pcs. * 3 lots
试验信息:
参考方法：MIL-STD-750 Method 2017
晶片形状：矩形
晶片面积：0.13375 mm2
光电参数测试节点：不适用
合格判据：> 450 gf (PPAP)
仪器设备：
剪切力拉力试验仪
立体显微镜
数据记录：
批次号 | 样品编号 | 剪切强度（gf） | 批次号 | 样品编号 | 剪切强度（gf） | 批次号 | 样品编号 | 剪切强度（gf） |
A | Spec LSL | | B | Spec LSL | | C | Spec LSL | |
A | Spec USL | | B | Spec USL | | C | Spec USL | |
A | 1 | | B | 6 | | C | 11 | |
A | 2 | | B | 7 | | C | 12 | |
A | 3 | | B | 8 | | C | 13 | |
A | 4 | | B | 9 | | C | 14 | |
A | 5 | | B | 10 | | C | 15 | |
A | MIN | | B | MIN | | C | MIN | |
A | MAX | | B | MAX | | C | MAX | |
A | MEAN | | B | MEAN | | C | MEAN | |
A | STD DEV | | B | STD DEV | | C | STD DEV | |
A | Cpk | | B | Cpk | | C | Cpk | |