分立器件逐批检验JP、JT、JC、TJY级别B组测试项目

发布时间:2021-11-01 00:54:29
(分立器件, JP、JT、JCT级别)B组测试项目介绍
项目
方法GJB128
抽样数(大批)
抽样数(小批)
1
可焊性2026(抽样方案用于引线数,器件≥3只)LTPD=154(0)
耐溶剂性1022
2
温度循环(空气,不包括轴向引线玻璃封装二极管)1051    25℃下不要求停顿试验条件C,但步骤3温度应为175℃25次循环,t≥10minLTPD=106(0)
热冲击(液体,轴向引线玻璃封装二极管)1056 10次循环条件A
浪涌4066(整流器正向,瞬变抑制器反向)
密封(细检漏)1071     双插头二极管&超小器件不要求条件G或H,最大泄漏率5*10-3Pa.cm3/s,但内腔>0.3cm3器件,最大最大泄漏率5*10-2Pa.cm3/s
密封(粗检漏)
终点测试详规
3    (BC都做,C组样品可延用B组继续老炼,键合C组做)
稳态工作寿命1027 偏置条件按规定LTPD=512(0)
间歇工作寿命1037 条件D,2000次
终点测试1042 详规
键合强度(引线或夹片键合器件)2037    至少3只器件,应包括每只器件的所有尺寸引线LTPD=10(1)LTPD=10(1)
稳态直流阻断寿命(整流器)1048 至少340hLTPD=512(0)
终点测试 
键合强度(引线或夹片键合器件)2037    至少3只器件,应包括每只器件的所有内引线LTPD=10(1)LTPD=10(1)
4
开帽内部目检(轴向引线二极管进行破坏性引线拉力)20751(0)1(0)
SEM20776(0)6(0)
5
热阻(二极管、双极型晶体管、功率FET、闸流晶体管、IGBT、GaAsFET)100%做时在E组做,GB/T4023Ⅵ    2,GB/T4587Ⅳ113161,SJ/Z9014.3,3013,3014LTPD=156(0)
6
高温寿命(不工作)1032 至少340h,Tstg(max)=TaLTPD=712(0)
终点测试
7
恒定加速度2006    X1Y1Z1每方向至少1min,加速度至少196000m/s2,25℃≥10W器件加速度至少98000,带内匹配的微波功率器件加速度至少9800LTPD=106(0)
PIND2052    条件A(4.3.4.2.1)
终点测试 
备注:1、不要求最终电测的各组样品,可采用同一批中电参数和X射线(JY)、PIND、老练后电参数不合格样品。2、7组只适用JT+JCT,内部及外部挤压连接器件不做(光耦合隔离器、双插头二极管)。
(分立器件,JY级别)B组测试项目介绍
项目
方法GJB128
抽样数(大批)
抽样数(小批)
1
物理尺寸2066LTPD=108(0)
2
可焊性2026(抽样方案用于引线数,器件≥3只)LTPD=156(0)
耐溶剂性1022
3
温度循环(空气)1051    25℃不停顿条件C3(循环100次),步骤3改为175℃,t≥10minLTPD=106(0)
浪涌4066(整流器正向,瞬变抑制器反向)
密封(细检漏)1071双插头二极管+超小型器件不做,条件G或H最大漏泄率5*10-3Pa.cm3/s。但内腔>0.3cm3,漏泄率5*10-2Pa.cm3/s
密封(粗检漏)
最后测试 
开帽内部目检(轴向引线二极管进行破坏性引线拉力)2075判据按鉴定设计和封帽前要求6(0) 
SEM20076(0) 
键合强度(引线或夹片键合器件)2037抽样方案用于引线数量,样品≥3只,包括所有尺寸引线 6(0)
芯片粘附强度(不含轴向引线器件)2017 取样为键合强度测试后  
4
间歇工作1037 2000次LTPD=108(0)
寿命试验1042 条件D
终点测试热响应和详规
热冲击(液态,仅对轴向引线的玻璃封装二极管)1056 25次条件A
5
加速稳态工作寿命1027    偏置条件按规定,共晶焊Tj=275℃最少96h。软焊料Tj=225℃最少168h。肖特基二极管Tj=175℃最少240h。功率FETTj=200℃最少120h。条件C    4.6.4LTPD=1012(0)
终点测试1042热响应和详规
键合强度(Al-Au互连)2037 样品需加速稳态工作寿命测试合格LTPD=10LTPD=0
(c=0)(c=0)
6
热阻(二极管、双极型晶体管、功率FET、闸流晶体管、IGBT、GaAsFET)GB/T4023Ⅵ    2,GB/T4587Ⅳ113161,SJ/Z9014.3,3013,3014LTPD=108(0)
备注:1、不要求最终电测的各组样品,可采用同一批中电参数和X射线(JY)、PIND、老练后电参数不合格样品
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